用于形成大通孔的新工艺

摘要

本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一金属层部件。半导体器件包括形成在第一金属层部件上方的通孔。通孔具有凹陷形状。半导体器件包括形成在通孔上方的第二金属层部件。半导体器件包括形成在衬底上方的第一介电层部件。第一介电层部件与第一金属层部件相邻，并且部分地位于第一金属层部件上方。第一介电层部件包含氟。半导体器件包括形成在第一介电层部件上方的第二介电层部件。第一介电层部件和第二介电层部件各自都与通孔相邻。第二介电层部件不含有氟。本发明还提供用于形成大通孔的新工艺。

主权项

一种半导体器件，包括：第一金属层部件，形成在衬底上方；通孔，形成在所述第一金属层部件上方，所述通孔具有凹陷形状；第二金属层部件，形成在所述通孔上方；第一介电层部件，形成在所述衬底上方，其中，所述第一介电层部件与所述第一金属层部件相邻并且部分地位于所述第一金属层部件上方，并且其中，所述第一介电层部件包含氟；以及第二介电层部件，形成在所述第一介电层部件上方，其中，所述第一介电层部件和所述第二介电层部件各自都与所述通孔相邻，并且其中，所述第二介电层部件不含有氟。