发明名称 |
一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法 |
摘要 |
本发明提出了一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法,包括以下步骤:步骤(a)在介质基片上形成金导体薄膜电路;步骤(b)在所述金导体薄膜电路表面涂覆正性光刻胶膜层;步骤(c)通过曝光、显影的方法定义出铝丝键合区域;步骤(d)电镀镍,使镍层在铝丝键合区进行局部沉积;步骤(e)去除所述金导体薄膜电路表面的光刻胶膜层,清洗并切割出所需要的图形。本发明的一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法,由于镍层对于金层和铝层来讲都有着友好粘接特性,避免了金层与铝丝直接接触而造成的接触电阻增加、电路损耗增加、键合强度下降甚至断裂的问题。同时操作简单、成本低,值得在生产中加以推广。 |
申请公布号 |
CN103258747A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201310180688.1 |
申请日期 |
2013.05.16 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
发明人 |
马子腾;葛新灵;王进 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(a),在介质基片上形成金导体薄膜电路;步骤(b),在所述金导体薄膜电路表面涂覆正性光刻胶膜层;步骤(c),通过曝光、显影的方法定义出铝丝键合区域;步骤(d),电镀镍,使镍层在铝丝键合区进行局部沉积;步骤(e),去除所述金导体薄膜电路表面的光刻胶膜层,清洗并切割出所需要的图形。 |
地址 |
266000 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号 |