| 发明名称 | 半导体基板、半导体装置、以及半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | GaN系半导体在晶面方位为(111)的硅基板上外延生长。GaN的晶格常数与硅(111)面的晶格常数之差大、约为17%，所以被生长的GaN中导入超过1010cm-2的位错。由于位错、使用GaN的晶体管的漏泄电流增大。另外，晶体管的迁移率降低。本发明公开了一种半导体基板，具有硅基板与在硅基板的(150)面上外延生长的氮化物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN103262214A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201280004156.6 | 申请日期 | 2012.01.23 |
| 申请人 | 先进动力设备技术研究协会 | 发明人 | 岩见正之;古川拓也 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其包括：硅基板、以及在所述硅基板的(150)面上外延生长的氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||