发明名称 CIS器件中光通道的形成方法
摘要 本发明公开了一种CIS器件中光通道的形成方法。该方法包括:在衬底中嵌设感光元件;在嵌设了所述感光元件的所述衬底上通过叠层的方式形成多层NDC层,并在每层NDC层中形成一金属层,并在除最下层金属层之外其他每层金属层之下的介质层;一次性刻蚀掉所述感光元件正上方包括的多层NDC层以及金属层的叠层,以形成光通道,使入射光被所述感光元件感应。本发明通过一次性刻蚀掉所述感光元件正上方包括的多层NDC层以及金属层的叠层,以形成光通道,使入射光被所述感光元件感应,避免了现有技术中逐层刻蚀NDC层和金属层需要多部刻蚀步骤导致的工艺过程复杂、生产效率低、CIS器件的成本高等缺陷。
申请公布号 CN103258835A 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN201310157275.1 申请日期 2013.05.02
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 胡鹏超;孙昌;王艳生
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;林彦之
主权项 一种CIS器件中光通道的形成方法,其特征在于,包括:在衬底中嵌设感光元件;在嵌设了所述感光元件的所述衬底上通过叠层的方式形成多层NDC层,并在每层NDC层中形成一金属层,并在除最下层金属层之外其他每层金属层之下的介质层;一次性刻蚀掉所述感光元件正上方包括的多层NDC层以及金属层的叠层,以形成光通道,使入射光被所述感光元件感应。
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