发明名称 |
CIS器件中光通道的形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CIS器件中光通道的形成方法。该方法包括:在衬底中嵌设感光元件;在嵌设了所述感光元件的所述衬底上通过叠层的方式形成多层NDC层,并在每层NDC层中形成一金属层,并在除最下层金属层之外其他每层金属层之下的介质层;一次性刻蚀掉所述感光元件正上方包括的多层NDC层以及金属层的叠层,以形成光通道,使入射光被所述感光元件感应。本发明通过一次性刻蚀掉所述感光元件正上方包括的多层NDC层以及金属层的叠层,以形成光通道,使入射光被所述感光元件感应,避免了现有技术中逐层刻蚀NDC层和金属层需要多部刻蚀步骤导致的工艺过程复杂、生产效率低、CIS器件的成本高等缺陷。 |
申请公布号 |
CN103258835A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201310157275.1 |
申请日期 |
2013.05.02 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
胡鹏超;孙昌;王艳生 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种CIS器件中光通道的形成方法,其特征在于,包括:在衬底中嵌设感光元件;在嵌设了所述感光元件的所述衬底上通过叠层的方式形成多层NDC层,并在每层NDC层中形成一金属层,并在除最下层金属层之外其他每层金属层之下的介质层;一次性刻蚀掉所述感光元件正上方包括的多层NDC层以及金属层的叠层,以形成光通道,使入射光被所述感光元件感应。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |