| 发明名称 | 一种LED垂直芯片结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p-GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，发光面积大，散热能力强，不存在电流拥堵效应。同时，由于此LED垂直芯片为直接外延生长，相较于剥离-键合工艺制备的垂直结构LED，省去了剥离和键合工艺，使得工艺简化、成品率高。 | ||
| 申请公布号 | CN103258926A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310156642.6 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 张景文;布恩辉;孟鹂;安健;李奉南;候洵 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 徐文权 |
| 主权项 | 一种LED垂直芯片结构，其特征在于，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p‑GaN。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 | ||