| 发明名称 | 隧道场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本公开涉及微电子晶体管制造领域，尤其涉及具有提高的导通电流电平而不具有相应增大的截止电流电平的隧道场效应晶体管的制造，这是通过在隧道场效应晶体管的源极与本征沟道之间添加过渡层来实现的。 | ||
| 申请公布号 | CN103262249A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201180060425.6 | 申请日期 | 2011.11.22 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B·楚-昆古;G·德威;M·拉多萨佛杰维科;N·穆克赫吉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 邢德杰 |
| 主权项 | 一种隧道场效应晶体管，包括：源极结构；邻近所述源极结构的过渡层；邻近所述过渡层的本征沟道；以及邻近所述本征沟道的漏极结构。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||