形成掺杂剂分布图的方法

摘要

本发明涉及使用磷作为掺杂剂形成从片状的半导体器件的表面开始的掺杂剂分布图的方法，该方法是通过将磷掺杂剂源施加到表面上，利用表面上存在的掺杂剂源形成第一掺杂剂分布图，除去掺杂剂源，和形成与第一掺杂剂分布图相比具有更大深度的第二掺杂剂分布图。为了形成优化的掺杂剂分布图，在形成第一掺杂剂分布图之后，除去掺杂剂源和除去选择性地在表面上或表面中由SixPy相和SixPyOz相结晶的沉淀物。

主权项

使用磷作为掺杂剂形成从板状或片状的硅基半导体器件的表面开始的掺杂剂分布图的方法，该方法是通过将磷掺杂剂源施加到表面上，利用表面上存在的掺杂剂源形成第一掺杂剂分布图，除去掺杂剂源和形成与第一掺杂剂分布图相比具有更大深度的第二掺杂剂分布图，其特征在于：在形成第一掺杂剂分布图之后，除去掺杂剂源和选择性地除去表面上存在的SixPy相和/或SixPyOz相。