发明名称 锂二次电池的制造方法
摘要 本发明提供一种锂二次电池的制造方法,具备:制作具有片状正极集电体和担载于该正极集电体上的正极活性物质层的正极的工序;根据锂二次电池用负极的制造方法制作负极的工序,该负极具备片状负极集电体和担载于该负极集电体上的负极活性物质层;使隔膜介于所述正极活性物质层和负极活性物质层之间而将它们相互对置的工序;所述锂二次电池用负极的制造方法,包括如下工序:(a)准备表面粗糙度Rz为2μm以上20μm以下的片状集电体;(b)在氧或氮气氛下,使硅从与所述集电体的法线方向构成角Φ的方向入射到所述集电体上并使其沉积,形成含有所述硅和所述氧、或者所述硅和所述氮的活性物质层,其中,20°≤Φ≤85°。
申请公布号 CN101699645B 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN200910178208.1 申请日期 2006.07.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 古结康隆;宇贺治正弥;高桥庆一;美浓辰治;长尾宣明;涩谷聪;本田和义
分类号 H01M10/38(2006.01)I;H01M4/04(2006.01)I;H01M4/48(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I 主分类号 H01M10/38(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩;杨光军
主权项 锂二次电池的制造方法,具备:制作正极的工序,所述正极具备片状正极集电体和担载于所述正极集电体上的正极活性物质层;制作负极的工序,根据锂二次电池用负极的制造方法制作负极,所述负极具备片状负极集电体和担载于所述负极集电体上的负极活性物质层;使隔膜介于所述正极活性物质层和所述负极活性物质层之间而将所述正极活性物质层和所述负极活性物质层相互对置的工序;所述锂二次电池用负极的制造方法,包括如下工序:(a)准备表面粗糙度Rz为2μm以上20μm以下的片状集电体;(b)在含氧或氮的减压气氛下,使硅从与所述集电体的法线方向构成角Φ的方向入射到所述集电体上并使其沉积,形成含有所述硅和所述氧、或者所述硅和所述氮的活性物质层,其中,20°≤Φ≤85°;由所述锂二次电池用负极的制造方法所制造的负极活性物质层的空隙率P为10%≤P≤70%。
地址 日本大阪府