| 发明名称 | 半导体层的氢钝化方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于半导体层的氢钝化的方法，其中所述钝化通过使用电弧等离子体源进行，涉及根据该方法制备的钝化的半导体层及其用途。 | ||
| 申请公布号 | CN103262219A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201180058390.2 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 赢创德固赛有限公司 | 发明人 | P·施特纳;S·韦伯;M·克勒;M·帕茨;R·卡里乌斯;T·布龙格 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H05H1/34(2006.01)I;H05H1/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 用于半导体层的氢钝化的方法，其特征在于，所述钝化通过使用电弧等离子体源进行。 | ||
| 地址 | 德国埃森 | ||