基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法

摘要

本发明涉及基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池片的衬底，进行以下步骤，对硅片衬底清洗制绒；以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；对硅片衬底进行二次清洗；在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a-SiNx叠层结构；在硅片衬底正面沉积a-SiOx/a-SiNx层；丝网印刷背面电极；经烧结，形成硅电池板。本发明的优点：加工工艺简单快速，成本低廉，易于兼容现有工艺的电池技术，并具有极佳的钝化效果，大大提升光电转换率，提高电池使用性能。

主权项

基于宽禁带a‑SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池板的衬底，进行以下步骤，（1）    对硅片衬底清洗制绒；（2）    以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；（3）    对硅片衬底进行二次清洗；（4）    在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a‑SiNx叠层结构；（5）    在硅片衬底正面沉积a‑SiOx/a‑SiNx层；（6）    丝网印刷背面电极；（7）    经烧结，形成电池片。