发明名称 一种三结级联太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明涉及太阳能技术领域,尤其是三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs1-x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、第二隧道结、AlpGa1-p-qInqP顶电池层及GaAs接触层;再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。本发明还提供这种太阳能电池的结构。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用,各个子电池间的电流匹配,每个电池层与GaAs晶格匹配,可获得较高的电池效率,是一种潜在的理想的太阳能电池材料。
申请公布号 CN103258908A 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN201310153351.1 申请日期 2013.04.27
申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明人 李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人 杨林;李友佳
主权项 一种三结级联太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长GaAs1‑x‑yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1‑mAs1‑nNn中间电池层、第二隧道结、AlpGa1‑p‑qInqP顶电池层及GaAs接触层;再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。
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