发明名称 透明导电性膜、其制造方法、电子装置用部件及电子装置
摘要 本发明是透明导电性膜等,所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜,阻气层由包含硅Si原子、氧O原子和碳C原子的材料构成,该阻气层的表层部中的硅Si原子、氧O原子和碳C原子的含量是,相对于硅Si原子、氧O原子和碳C原子的合计100原子%,硅Si原子:18.0~28.0%,氧O原子:48.0~66.0%,碳C原子:10.0~28.0%,并且,透明导电性膜在40℃90%RH气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下,波长550nm时的可见光透过率为90%以上。根据本发明,可提供具有优异的阻气性和透明性,即使在高温高湿度环境下,薄层电阻值的变化也少,保持低值,导电性优异的透明导电性膜等。
申请公布号 CN103262175A 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN201180049693.8 申请日期 2011.10.13
申请人 琳得科株式会社 发明人 永元公市;近藤健;永绳智史
分类号 H01B5/14(2006.01)I;B32B7/02(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;H05B33/28(2006.01)I 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 蔡晓菡;李炳爱
主权项 透明导电性膜,其特征在于,其为具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜,所述阻气层由包含硅原子、氧原子和碳原子的材料构成,该阻气层的表层部中的硅原子、氧原子和碳原子的含量是,在XPS的元素分析测定中,相对于硅原子、氧原子和碳原子的合计100原子%,硅原子的含量为18.0%以上且28.0%以下,氧原子的含量为48.0%以上且66.0%以下,碳原子的含量为10.0%以上且28.0%以下,并且,透明导电性膜在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下,波长550nm下的可见光总光线透过率为90%以上。
地址 日本东京都