LED芯片及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：第一类型外延层；发光外延层设置于所述第一类型外延层一侧；第二类型外延层设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层一侧，所述第二类型外延层包括第二类型被覆层和第二类型接触层，所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧的表面具有沟槽，所述沟槽至少贯穿所述第二类型接触层；第一电极，所述第一类型外延层电相连；第二电极，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧，并覆盖所述沟槽。同时本发明提供该LED芯片的制备方法。本发明所提供的LED芯片提高了电流的有效注入，减少了第二类型外延层对光的吸收，从而提高了芯片的发光效率。

主权项

一种LED芯片，包括：第一类型外延层；发光外延层，设置于所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层一侧，所述第二类型外延层包括第二类型被覆层和第二类型接触层，所述第二类型被覆层设置于面向所述发光外延层的一侧，所述第二类型接触层设置于背离所述发光外延层的一侧，所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧的表面具有沟槽，所述沟槽至少贯穿所述第二类型接触层；第一电极，与所述第一类型外延层电相连，用于向所述第一类型外延层提供电压；第二电极，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧，并覆盖所述沟槽。