发明名称 直接转换X射线探测器
摘要 本发明涉及一种辐射探测器(100),包括:转换器元件(102),用于将入射高能辐射(X)转换为电荷信号。阴极(101)和阳极(103)的阵列(104)布置在所述转换器元件(102)的不同侧上,用于在所述转换器元件(102)内生成电场(E0,Ed)。所述电场(E0,Ed)的强度相对于远离所述阳极阵列(104)的第二区域(R0),在所述阳极阵列(104)附近的第一区域(Rd)中增大。该增大可以通过对第一区域(Rd)掺杂电子受主来实现。第一区域(Rd)中的增大的场强度有利地影响入射辐射生成的电荷脉冲的锐度。
申请公布号 CN103261914A 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN201180059146.8 申请日期 2011.12.02
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 K·J·恩格尔;C·赫尔曼
分类号 G01T1/24(2006.01)I 主分类号 G01T1/24(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 舒雄文;蹇炜
主权项 一种辐射探测器(100),包括:a)转换器元件(102),用于将入射高能辐射(X)转换为电荷信号;b)布置在所述转换器元件的不同侧上的阳极(103)的阵列(104)和阴极(101),用于在所述转换器元件(102)中生成电场(E0,Ed);其中,所述转换器元件(102)具有空间不均匀性,借助于所述空间不均匀性,所述电场(E0,Ed)的强度在所述阳极阵列附近的第一区域(Rd)中增大和/或在远离所述阳极阵列的第二区域(R0)中减小。
地址 荷兰艾恩德霍芬