| 发明名称 | 阵列式片状电阻器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种阵列式片状电阻器，包括：基板，具有以相等的间隔形成在两侧上的多个凹槽；下部电极，形成在所述基板底表面的两侧上；侧部电极，从所述下部电极延伸并且一直延伸至所述基板一个侧表面的一部分；电阻元件，介于所述基板底表面的下部电极之间；保护层，覆盖在所述电阻元件上，所述保护层的两侧均覆盖所述下部电极的一部分和所述电阻元件；整平电极，与暴露于所述保护层外部的下部电极相接触；以及镀层，形成在所述整平电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN103258606A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310153797.4 | 申请日期 | 2009.11.30 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 柳兴馥;朴章皓;金荣基;徐起元;崔允甲 |
| 分类号 | H01C1/14(2006.01)I;H01C1/034(2006.01)I | 主分类号 | H01C1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;李静 |
| 主权项 | 一种阵列式片状电阻器，包括：基板，具有以相等的间隔形成在两侧上的多个凹槽；下部电极，形成在所述基板底表面的两侧上；侧部电极，从所述下部电极延伸并且一直延伸至所述基板一个侧表面的一部分；电阻元件，介于所述基板底表面的下部电极之间；保护层，覆盖在所述电阻元件上，所述保护层的两侧均覆盖所述下部电极的一部分和所述电阻元件；整平电极，与暴露于所述保护层外部的下部电极相接触；以及镀层，形成在所述整平电极上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||