发明名称 一种双向对称高速过压防护器件
摘要 本发明提供一种半导体集成过压保护器件。该集成过压保护器件包括,NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管组合和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管组合,其中,NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口G-,PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口G+,NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口A,该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口K。该器件为一种正、负向过压防护能力均衡、泄流速度快、双向对称的半导体过压防护器件。
申请公布号 CN103258815A 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN201310139156.3 申请日期 2013.04.19
申请人 北京燕东微电子有限公司;北京时代华诺科技有限公司 发明人 张守明;淮永进;刘伟;唐晓琦;杨京花;赵小瑞;杨显精;薛佳
分类号 H01L23/62(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I 主分类号 H01L23/62(2006.01)I
代理机构 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人 张雪梅
主权项 一种半导体过压保护器件,其特征在于,该器件包括,NPN晶体管及由其控制的NPNP晶闸管,和PNP晶体管及由其控制的PNPN晶闸管,其中,NPN晶体管的基极作为该器件的负向过压参考电位端口,PNP晶体管的基极作为该器件的正向过压参考电位端口,该NPNP晶闸管的阳极和PNPN晶闸管的阴极相连作为器件的接地端口,该NPNP晶闸管的阴极和该PNPN晶闸管的阳极相连作为器件的接入端口。
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