| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管，其在阻挡膜与电极膜之间具有密合强化膜，密合强化膜由（a）形成于电极膜侧的纯铜化区域、以及（b）形成于与阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成，在成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中，Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca：5～20原子％、和氧：30～50原子％。 | ||
| 申请公布号 | CN102197488B | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN200980141877.X | 申请日期 | 2009.09.24 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社;株式会社爱发科 | 发明人 | 森晓;小见山昌三 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;王忠忠 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，具有：玻璃基板、以及在所述玻璃基板的表面依次层叠形成的纯铜膜的栅电极膜、氮化硅膜、Si半导体膜、氧化硅膜的阻挡膜和纯铜膜的电极膜，所述电极膜由漏电极膜和源电极膜构成，在所述氧化硅膜的阻挡膜与所述纯铜膜的漏电极膜和源电极膜之间插入膜厚为10～100nm的密合强化膜，所述密合强化膜由（a）形成于所述纯铜膜的漏电极膜和所述源电极膜侧的纯铜化区域、以及（b）形成于与所述氧化硅膜的阻挡膜的界面部且构成成分由Cu、Ca、氧和Si构成的成分凝集区域这两个区域构成，在所述成分凝集区域的厚度方向的Ca和氧的浓度分布中，Ca和氧的含量波峰的最高含量分别为Ca：5～20原子％、和氧：30～50原子％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||