形成栅极叠层及其结构的方法

摘要

本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。

主权项

一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法，所述方法包括以下步骤：在第一氮化钛（TiN）层（103）上直接形成含金属层（104），所述第一氮化钛层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底（100）的区域；在所述含金属层的顶上形成第二氮化钛层（105）的覆盖层；构图所述第二氮化钛层和所述含金属层以仅覆盖所述第一氮化钛层的第一部分，所述第一氮化钛层的所述第一部分覆盖指定用于所述第一类型的场效晶体管的区域（100A）；蚀刻掉通过所述构图暴露的所述第一氮化钛层的第二部分，同时通过以所述经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护所述第一氮化钛层的所述第一部分不受所述蚀刻；以及形成覆盖指定用于所述第二类型的场效晶体管的所述半导体衬底的区域（100B）的第三氮化钛层。