发明名称 |
等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明实施例提供了一种等离子体处理装置,包括:真空处理腔室;第一电极,位于所述真空处理腔室内,第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台,所述第一电极与两个射频电源电连接,其中第一射频源大于第二射频源频率的1.5倍;非电介质材料层,位于第一电极与放置待处理晶圆的平台之间,所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率。本发明实施例提高了真空处理腔室内的等离子体分布的均匀度,改善了等离子处理装置处理后的晶圆的均匀度。 |
申请公布号 |
CN102280342B |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201110240360.5 |
申请日期 |
2011.08.19 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
倪图强;欧阳亮;吴狄;陶铮;松尾裕史 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:真空处理腔室;第一电极,位于所述真空处理腔室内,第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台,所述第一电极与两个射频电源电连接,其中第一射频源的频率大于第二射频源频率的1.5倍;非电介质材料层,位于第一电极与放置待处理晶圆的平台之间,所述非电介质材料层的电阻率大于所述第一电极的电阻率。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |