发明名称 |
一种大尺寸单晶石墨烯的制备方法 |
摘要 |
一种大尺寸单晶石墨烯的制备方法,其特征是在800℃以上的环境中,通过调节有机气体、氢气和惰性气体的流速及流量场的分布在金属表面制备出大尺寸单晶石墨烯;所述有机气体包括:烷烃,烯烃、炔烃、芳香烃等含碳气体;所述金属表面包括:铜、铂等金属表面;所述流量场包括:各种气体的流速、流动方向以及气压;热处理时的环境气压为常压,时间在20min-40min;所述生长时的环境气压在1pa-300pa之间,时间在1min-2h。 |
申请公布号 |
CN103255474A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201310145266.0 |
申请日期 |
2013.04.25 |
申请人 |
南昌大学 |
发明人 |
王立;王朝成 |
分类号 |
C30B25/14(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B25/14(2006.01)I |
代理机构 |
南昌洪达专利事务所 36111 |
代理人 |
刘凌峰 |
主权项 |
一种大尺寸单晶石墨烯的制备方法,其特征是在800℃以上的环境中,通过调节有机气体、氢气和惰性气体的流速及流量场的分布在金属表面制备出大尺寸单晶石墨烯;所述有机气体包括:烷烃,烯烃、炔烃、芳香烃等含碳气体;所述金属表面包括:铜、铂等金属表面;所述流量场包括:各种气体的流速、流动方向以及气压;热处理时的环境气压为常压,时间在20min‑40min;所述生长时的环境气压在1pa‑300pa之间,时间在1min‑2h。 |
地址 |
330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 |