发明名称 |
磁传感器以及磁传感器的制造方法 |
摘要 |
提供能降低磁阻效应元件的自由磁性层的磁化方向的分散、且跨宽范围测量精度高的磁传感器以及磁传感器的制造方法。本发明的磁传感器(1)是具备在特定的方向有灵敏度轴的磁阻效应元件(11)的磁传感器,磁阻效应元件(11)的特征在于,具有层叠构造,该层叠构造包含固定了磁化方向的铁磁性固定层(30)、非磁性中间层(26)、磁化方向相对于外部磁场变动的自由磁性层(27)、以及对自由磁性层(27)施加交换耦合磁场的反铁磁性层(28)。 |
申请公布号 |
CN103262276A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201180059287.X |
申请日期 |
2011.11.25 |
申请人 |
阿尔卑斯电气株式会社 |
发明人 |
小池文人;朝妻浩太;斋藤正路;高桥彰;井出洋介 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;G01R15/20(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王亚爱 |
主权项 |
一种磁传感器,具备在特定的方向上有灵敏度轴的磁阻效应元件,其特征在于,所述磁阻效应元件具有层叠构造,该层叠构造包含固定了磁化方向的铁磁性固定层、非磁性中间层、磁化方向相对于外部磁场变动的自由磁性层、以及对所述自由磁性层施加交换耦合磁场的反铁磁性层。 |
地址 |
日本东京都 |