| 发明名称 | 集成电路及制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了集成电路及制造方法。公开了一种集成电路，该集成电路包括包含半导体器件的衬底(10)和所述衬底上方用于互连所述器件的金属化叠层(20)，所述金属化叠层包括空腔(36)和导热性传感器，所述导热性传感器包括在所述空腔中悬置的所述金属化叠层的至少一个导电部分(16，18)。还公开了制造这种IC的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103258828A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310049341.3 | 申请日期 | 2013.02.07 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 马蒂亚斯·梅兹;奥瑞利·休伯特;戴维·蒂奥卡斯特罗 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G01N25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：包含半导体器件的衬底(10)、和所述衬底上方用于互连所述器件的金属化叠层(20)，所述金属化叠层包括空腔(36)；以及导热性传感器，所述导热性传感器包括在所述空腔中悬置的所述金属化叠层的至少一个导电部分(16，16’，18)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||