一种低电压缓启动电路

摘要

本发明公开了一种低电压缓启动电路，包括晶体管MOS1和控制回路，所述晶体管MOS1为N-channel MosFET，晶体管MOS1的漏极接主输入电压Vin1，晶体管MOS1的源极接输出电压Vout，晶体管MOS1的栅极接控制回路，控制回路的另一端与辅助输入电压Vin2相连，由于采用了有差值且差值大于晶体管MOS1的阈值电压的两路输入电压Vin1和Vin2，使得晶体管MOS1能够正常导通，又由于控制回路控制晶体管MOS1的导通时间，并使输出电压平滑上升，从而实现低电压缓启动和时序控制的功能，同时也解决了输出电压出现打嗝现象的问题。

主权项

一种低电压缓启动电路，其特征在于，包括晶体管MOS1和控制回路，所述晶体管MOS1为N‑沟道MosFET，晶体管MOS1的漏极接主输入电压Vin1，晶体管MOS1的源极接输出电压Vout，晶体管MOS1的栅极接控制回路，控制回路的另一端与辅助输入电压Vin2相连，用于控制晶体管MOS1的导通时间，并使输出电压Vout平滑上升，辅助输入电压Vin2高于主输入电压Vin1，且高出的电压值大于晶体管MOS1的阈值电压，所述控制回路包括时序电路和输出控制电路，时序电路和输出控制电路串接于辅助输入电压Vin2和晶体管MOS1的栅极之间，输出控制电路的另一端与辅助输入电压Vin2相连，所述时序电路包括电阻R1、R3和R4，电容C2和比较器U1，电阻R1与R4串接在辅助输入电压Vin2与地线之间，电阻R1与R4的接点与比较器U1的负端相接；电阻R3与电容C2串接在辅助输入电压Vin2与地线之间，电阻R3与电容C2的接点与比较器U1的正端相接，比较器U1的比较输出端接输出控制电路，所述输出控制电路包括电阻R2、R5和R6及电容C3，电阻R2、R5与R6串接在辅助输入电压Vin2与地线之间，电阻R2与R5的接点与时序电路相接，电阻R2起到限制电流的作用，电容C3正极接R5、R6的接点，负极接R6的另一端，电阻R5、R6与电容C3的共接端与晶体管MOS1的栅极相接。