一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法

摘要

一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法，是采用静电封接工艺将上玻璃固定极板、可动的硅中心极板、下玻璃固定极板封接成电容三极板结构，其特征在于采用MEMS加工技术，在硅电容压力传感器硅中心极板中心岛上、下面分别制作线型导油槽结构，上、下玻璃固定极板中心表面有采用溅射工艺制作的和线型导油槽结构相匹配的几何形状的金属电极，且玻璃固定极板中心有导压引出电极孔，当可动的中心极板过压后和固定极板电极贴合时，线型导油槽结构仍保持导油通道畅通，从而有效地减小硅中心极板中心岛过压贴合后的回弹阻尼，提高硅电容压力传感器过载后对压力的响应速度。

主权项

一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法，是采用静电封接工艺将上玻璃固定极板、可动的硅中心极板、下玻璃固定极板封接成电容三极板结构，其特征在于采用MEMS加工技术，在硅电容压力传感器硅中心极板中心岛上、下面分别制作线型导油槽结构，上、下玻璃固定极板中心表面有采用溅射工艺制作的、与线型导油槽结构相匹配的几何形状的金属电极，且玻璃固定极板中心有用于导压和电极引出的金属化孔(8)，当可动的硅中心极板过压后和玻璃固定极板上的所述金属电极贴合时，线型导油槽结构仍保持导油通道畅通，从而有效地减小硅中心极板中心岛过压贴合后的回弹阻尼，提高硅电容压力传感器过载后对压力的响应速度；线型导油槽(7)的结构：在保证硅中心极板中心岛(5)两面的5～10微米的初始极板间隙不变的前提下，采用MEMS加工技术在硅中心极板中心岛(5)的两面上制作成具有一定长度和宽度的线型导油槽结构，在硅中心极板中心岛(5)的两个面留出与所述金属化孔(8)相应的中心空位，并向硅中心极板中心岛(5)的各边腐蚀出线型导油槽结构(7)；腐蚀出的槽与硅中心极板中心岛(5)对应边垂直，将上、下玻璃固定极板上的所述金属电极设计为方形电极或槽形电极，且线型导油槽(7)的长度要长于上、下玻璃固定极板(1、3)上的方形电极(4)、槽型电极(6)的外轮廓线，当硅中心极板(2)厚度为400微米时，导油槽宽度为50～100微米。