晶体管的制造方法

摘要

在含有氢的氧化物半导体层上选择性地设置氢阻挡层，并且通过进行氧化处理，选择性地使氢从氧化物半导体层中的给定区域脱离，从而在氧化物半导体层中形成具有不同导电率的区域。之后，可以利用形成在氧化物半导体层中的具有不同导电率的区域来形成沟道形成区、源区及漏区。

主权项

一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：形成至少包括铟、锌、镓和氢的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上选择性地形成氢阻挡层，以使得所述氧化物半导体层的与沟道形成区对应的部分被露出；通过进行氧化处理，选择性地使氢从所述氧化物半导体层脱离，来在所述氧化物半导体层中形成第一区域和其氢含量少于所述第一区域氢含量的第二区域；以及利用所述第二区域形成所述沟道形成区，并利用所述第一区域形成源区及漏区。