| 发明名称 | 薄膜晶体管和显示装置 | ||
| 摘要 | 提供一种能够改善包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的可靠性的薄膜晶体管。薄膜晶体管，包括：栅电极；在栅电极上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成与栅电极对应的沟道区的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上，至少在与沟道区对应的区域中形成的沟道保护膜；和源/漏电极。在栅极绝缘膜上，氧化物半导体层的顶面和侧面被源/漏电极和沟道保护膜覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN101794823B | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201010108020.2 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 诸泽成浩;藤森隆成 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李颖 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅电极；在栅电极上形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成与栅电极对应的沟道区的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上至少在与沟道区对应的区域中形成的沟道保护膜；和源/漏电极，其中在栅极绝缘膜上，氧化物半导体层的顶面和侧面全部被源/漏电极和沟道保护膜的组合覆盖，并且沟道保护膜为包含氧化铝或氮化硅的三层膜，该三层膜中的不与氧化物半导体层接触的两层中的至少一层由氧化铝薄膜或氮化硅薄膜构成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||