| 发明名称 | 一种钠钙玻璃衬底上CIGS吸收层的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种钠钙玻璃衬底上高光电转换效率Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积方法，该沉积方法采用改进的三步共蒸发法，先在Mo表面沉积CuGaSe2薄层，随后采用类似三步共蒸发法的前两步，分别沉积(InGa)2Se3预制层和富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe，然后用Br2水溶液刻蚀掉二次相CuxSe，最后在刻蚀后的样品表面上蒸发沉积In2Se3膜层，并对其进行退火处理。用这种方法沉积的CIGS吸收层，既增强了CIGS在Mo层上的粘附性，改善了Mo背接触的欧姆特性，获得了Ga的后偏析，又形成贯穿整个膜层的柱状大晶粒，镜面状贫铜富铟表面。保证了CIGS太阳电池具有较大的开路电压VOC、填充因子FF、短路电流JSC和良好的外量子效率EQE，从而确保了CIGS薄膜太阳电池的高光电转换率。 | ||
| 申请公布号 | CN103258898A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201210035816.9 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 任丘市永基光电太阳能有限公司 | 发明人 | 马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种钠钙玻璃衬底上Cu(In1‑xGax)Se2(CIGS)吸收层的沉积方法，其特征在于，其包括：蒸发Cu、Ga、Se在涂覆Mo的钠钙玻璃衬底上，形成CuGaSe2层，蒸发In、Ga和Se形成(In1‑xGax)3Se5预置层，蒸发Cu和Se形成富铜化学计量比的Cu(InGa)Se2和二次相CuxSe，Br2水溶液刻蚀二次相CuxSe，蒸发In、Se，使表层形成贫铜富铟层。蒸发沉积In和Se，在刻蚀表面形成In2Se3层，然后退火，使CIGS表面成为富铟贫铜的镜状表面。 | ||
| 地址 | 062550 河北省任丘市永丰路办事处丰收路北 | ||