| 发明名称 | 制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。该制造半导体装置的方法包括：在支承构件上设置第一粘接层；在第一粘接层上设置膜；在膜上布置半导体元件；在布置有半导体元件的膜上设置树脂层，并在膜上形成包括半导体元件和树脂层的基片；以及使膜和基片与第一粘接层分离。 | ||
| 申请公布号 | CN103258770A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310048766.2 | 申请日期 | 2013.02.06 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 佐佐木伸也;石月义克;谷元昭 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;陈炜 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，包括：在支承构件上设置第一粘接层；在所述第一粘接层上设置膜；在所述膜上布置半导体元件；在布置有所述半导体元件的所述膜上设置树脂层，并在所述膜上形成包括所述半导体元件和所述树脂层的基片；以及使所述膜和所述基片与所述第一粘接层分离。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||