| 发明名称 | 半导体元件镀膜制程方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；2）对晶元进行雷射隐形切割；3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；4）背镀氧化层或金属层；5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；6）劈裂。本发明方法，通过增加将晶元粘附、键合于一坚固基板上的工序，解决了现有技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103258773A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310189074.X | 申请日期 | 2013.05.21 |
| 申请人 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 发明人 | 单立伟 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下： 1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄； 2）对晶元进行雷射隐形切割； 3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上； 4）背镀氧化层或金属层； 5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离； 6）劈裂。 | ||
| 地址 | 230011 安徽省合肥市新站区工业园内 | ||