在硅衬底上生长高品质的III-V族化合物层的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法。清洁硅晶圆的表面。然后，在硅晶圆上外延生长第一缓冲层。第一缓冲层包含氮化铝(AlN)材料。然后，在第一缓冲层上外延生长第二缓冲层。第二缓冲层包括多个氮化铝镓(AlxGa1-xN)子层。每一个子层都具有0和1之间的对应x值。每一个子层的x值是其在第二缓冲层内的位置的函数。在第二缓冲层上方外延生长第一氮化镓(GaN)层。然后，在第一GaN层上方外延生长第三缓冲层。然后，在第三缓冲层上方外延生长第二GaN层。本发明提供了在硅衬底上生长高品质的III-V族化合物层的方法。

主权项

一种装置，包括：半导体结构，包括：硅衬底；第一缓冲层，设置在所述硅衬底上方，其中，所述第一缓冲层包含III‑V族化合物，所述III‑V族化合物包括第一III族元素和V族元素；第二缓冲层，设置在所述第一缓冲层上方，其中，所述第二缓冲层包括多个子层，每一个子层都包含所述第一III族元素、所述V族元素和第二III族元素，并且其中，对于每个子层来说，与所述第一缓冲层相距得越远，所述第一III族元素的含量就越低；以及III‑V族化合物块层，设置在所述第二缓冲层上方。