| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及组合物，该组合物在半导体器件的制造过程中用于产生图案化的或结构化的SiO2层或产生SiO2线，并且该组合物适用于在喷墨操作中应用。本发明还涉及利用这些新的组合物制造半导体器件的改进方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101981227B | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN200980110519.2 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 默克专利有限公司 | 发明人 | 维尔纳·斯托克姆;英戈·克勒;阿尔扬·梅耶;保尔·克雷格·布鲁克斯;凯蒂·帕特森;马克·詹姆斯 |
| 分类号 | C23C18/12(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 张珂珂;郭国清 |
| 主权项 | 1.制造半导体器件的方法，其特征在于通过使用可喷墨印刷的SiO<sub>2</sub>前体组合物，在基材表面上产生SiO<sub>2</sub>层或SiO<sub>2</sub>线，其中所述SiO<sub>2</sub>前体组合物包括(A)通式(I)的SiO<sub>2</sub>前体或前体混合物<img file="FDA00002998651000011.GIF" wi="753" he="318" />(I)其中彼此独立地，R为A、AOA、Ar、AAr、AArA、AOAr、AOArA、AArOA，其中A是直链或支链的C<sub>1</sub>–C<sub>18</sub>烷基，或者取代或未取代的环状C<sub>3</sub>-C<sub>8</sub>烷基；Ar是取代或未取代的具有6–18个碳原子的芳基，和，n=1–100和其中R可以形成与Si或相邻的基团R结合的另外的直键。 | ||
| 地址 | 德国达姆施塔特 | ||