| 发明名称 | 化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102282291B | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201080004703.1 | 申请日期 | 2010.02.15 |
| 申请人 | 株式会社艾迪科 | 发明人 | 佐藤宏树;水尾克英;斋藤昭夫;上山润二 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C07F7/12(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张楠;陈建全 |
| 主权项 | 一种化学气相沉积用原料，其含有HSiCl（NR1R2）（NR3R4）表示的有机含硅化合物，其中，R1～R4是碳原子数为2以下的烷基，或者R1和R3是氢原子、R2和R4是碳原子数为1～4的烷基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||