有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途

摘要

本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构：

主权项

1.一种有机电子传输和/或空穴阻挡材料，其特征是，该有机电子传输和/或空穴阻挡材料是多芳基取代吡啶衍生物，其具有以下分子结构：其中：R₁，R₃，R₃’，R₄，R₄’取代基可相同或不同，分别独立的选自氢、具有1至20个碳原子的取代或未取代的烷基、具有5至20个碳原子的取代或未取代的环烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基、具有6至60个碳原子的芳烷基、具有6至50个环碳原子的芳基、具有6至50个环原子的芳氧基或具有5至50个环原子的芳族杂环基团中的一种；R₂，R₂’，R₅，R₅’取代基可相同或不同，分别独立的选自羧基、氟代甲基、氰基、硝基、或具有2至20个碳原子的酯基中的一种；Ar₁，Ar₁’，Ar₂，Ar₂’取代基可相同或不同，分别独立的选自具有6至50个环碳原子的芳基、具有5至50个环原子的芳族杂环基团中的一种。