| 摘要 |
Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока, содержащий тонкие сильнолегированные слои p- и n-типа проводимости и расположенный между ними широкий слаболегированный слой N-типа проводимости, уровень легирования и ширина которого выбирается согласно требуемой величине блокируемого напряжения, отличающийся тем, что в этот слой со стороны n-слоя введены рекомбинационные центры на глубину, не меньшую половины и не большую 0,75 ширины этого слоя. |
