发明名称 Method for producing cascaded semiconductor lasers
摘要 Sposób wytwarzania pólprzewodnikowych laserów kaskadowych z warstwami naprezonymi polega na tym, ze obejmuje wykonanie okreslonych warstw testowych, ich pomiary, wyznaczenie parametrów procesu wzrostu epitaksjalnego warstw w oparciu o te pomiary oraz wykonanie pólprzewodnikowego lasera kaskadowego metodami epitaksjalnymi z wykorzystaniem parametrów wzrostu epitaksjalnego.
申请公布号 PL398153(A1) 申请公布日期 2013.08.19
申请号 PL20120398153 申请日期 2012.02.17
申请人 ISOS TECHNOLOGIES SARL 发明人 WESOLOWSKI MAREK;STRUPINSKI WLODZIMIERZ
分类号 H01S5/00;H01L21/00;H01L21/20;H01S5/20 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
地址