Method for producing doped homoepitaxial layers of SiC

摘要

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania domieszkowanych warstw homoepitaksjalnych SiC na podlozu 4H-SiC lub 6H-SiC o orientacji (0001), metoda wzrostu epitaksjalnego, charakteryzujacy sie tym, ze stosuje sie podloze z odchyleniem nie wiekszym niz 2° w kierunku [11-20].