发明名称 |
用于先进光刻术的透镜加热感知的源掩模优化 |
摘要 |
本发明公开一种用于先进光刻术的透镜加热感知的源掩模优化,具体地公开了一种用于改善通过使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像到衬底上的光刻过程的计算机执行的方法,光刻投影设备包括照射源和投影光学装置,所述方法包括步骤:计算作为光刻过程的特性的多个设计变量的多变量价值函数,所述设计变量中的至少一些设计变量是照射源和所述设计布局的特性,多变量价值函数的计算考虑使用照射源通过投影光学装置成像所述设计布局的所述部分而引入的对投影光学装置的光学特性的影响;和通过调节所述设计变量直到预定终止条件被满足来重构所述光刻过程的特性。 |
申请公布号 |
CN103246175A |
申请公布日期 |
2013.08.14 |
申请号 |
CN201310049438.4 |
申请日期 |
2013.02.07 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
M·M·克劳斯;Y·J·L·M·凡达麦乐恩;刘鹏;刘华玉;蒋爱琴;黄文谨 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F1/36(2012.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
吴敬莲 |
主权项 |
一种用于改善通过使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像到衬底上的光刻过程的计算机执行的方法,光刻投影设备包括照射源和投影光学装置,所述方法包括步骤:计算多个设计变量的多变量价值函数,其中所述多个设计变量是光刻过程的特性,所述设计变量中的至少一些设计变量是照射源和所述设计布局的特性,多变量价值函数的计算考虑使用照射源通过投影光学装置对所述设计布局的所述部分成像而引入的对投影光学装置的光学特性的效应;和通过调节所述设计变量直到预定终止条件被满足为止来重构所述光刻过程的特性。 |
地址 |
荷兰维德霍温 |