| 发明名称 | 压电薄膜元件以及压电薄膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN101599527B | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN200910145449.6 | 申请日期 | 2009.06.01 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 柴田宪治;冈史人;末永和史 |
| 分类号 | H01L41/08(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 张敬强 |
| 主权项 | 一种压电薄膜元件，在硅基板上具有下部电极、压电薄膜和上部电极，其特征在于，上述压电薄膜具有用一般式(K1‑xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1‑xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.98≤c/a≤1.01的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||