| 摘要 |
Verfahren mit Entfernen eines ionenimplantierten Fotolackmaterials von einem Halbleitersubstrat, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines strukturierten Fotolacks auf einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur, wobei sich in dem strukturierten Fotolack mindestens eine Öffnung befindet, die eine obere Oberfläche eines Halbleitersubstrats der Halbleiterstruktur freilegt; Einlagern von Dotanden in die freiliegende obere Oberfläche des Halbleitersubstrats sowie in den strukturierten Fotolack durch Ionenimplantation; Bilden eines Polymerfilms, der ein Oxidationsmittel enthält, zumindest auf freiliegenden oberen Oberflächen des ionenimplantierten und strukturierten Fotolacks; Durchführen eines Temperschrittes, der eine Reaktion zwischen dem Polymerfilm und dem ionenimplantierten und strukturierten Fotolack verursacht, bei welcher ein modifizierter strukturierter Fotolack gebildet wird, der in wässrigen, sauren oder organischen Lösemitteln löslich ist; und Entfernen des veränderten strukturierten Fotolacks von der Halbleiterstruktur unter Verwendung eines wässrigen, sauren oder organischen Lösemittels.
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