半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上，形成包含间层、HfON膜和HfSiON膜的栅极绝缘膜。然后，在HfSiON膜上，形成含Al膜和掩模层。随后，从n沟道MISFET形成区选择性去除掩模层和含Al膜。然后，在n沟道MISFET形成区中的HfSiON膜上形成含稀土元素膜。进行热处理以在n沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含稀土元素膜之间的反应并在p沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含Al膜之间的反应。之后，去除未反应的含稀土元素膜和掩模层，然后形成金属栅电极。

主权项

一种包括MISFET的半导体器件，该半导体器件包括： 半导体衬底； 形成于所述半导体衬底上的MISFET的栅极绝缘膜；和 包括形成于所述栅极绝缘膜上的金属氮化物膜的MISFET的金属栅电极， 其中所述栅极绝缘膜包含铪、氧、氮和硅，并且 其中硅在所述栅极绝缘膜的厚度方向上的的浓度被分布为在其上部高于其下部。