发明名称 多层基片的芯片整合式镀通孔
摘要 本发明涉及一种制备用于与至少一个电子部件相接触的层合物的方法,其中,绝缘层布置在第一金属层与第二金属层之间,所述金属层在至少一个接触区域中相互电接触,在所述绝缘层中的所述接触区域中生成有一个或多个凹处,所述接触区域中的至少一个压花和/或至少一个鼓起至少在所述第一金属层中生成,借此所述至少一个压花和/或鼓起的所述区域中的所述两金属层之间的距离减少,并且所述金属层被层合到所述绝缘层上,借此,至少一个压花和/或至少一个鼓起的尺寸足够用于容纳至少一个电子部件,因为至少一个电子部件被嵌入到至少一个压花和/或至少一个鼓起中,并且以导电方式连接于其中,使得所述电子部件的周长被完全容纳在所述压花或鼓起中,而其高度(H)则至少部分地被容纳在所述压花或鼓起中。本发明还涉及一种用于接触电子部件的层合物,确切的说是通过使用所述方法制备出的层合物,所述层合物包括:第一金属层,所述第一金属层具有至少一个压花和/或至少一个鼓起;和第二金属层,所述第二金属层布置成基本上与所述第一金属层平行,并通过绝缘层与所述第一金属层分隔开,借此所述金属层在所述至少一个压花和/或至少一个鼓起处形成导电接触区域,其中所述绝缘层中设有至少一个凹处,借此,至少一个电子部件布置在至少一个压花和/或鼓起中,并以导电方式连接,并且所述至少一个电子部件的周长完全容纳在所述至少一个压花和/或鼓起中,同时所述至少一个电子部件的高度(H)至少部分地被容纳在至少一个压花和/或鼓起中。最后,本发明还涉及使用所述层合物来作为电路板、传感器、LED灯、手机部件、控制器或调节器。
申请公布号 CN103250472A 申请公布日期 2013.08.14
申请号 CN201180053138.2 申请日期 2011.10.21
申请人 贺利氏材料工艺有限及两合公司;欧司朗光电半导体有限公司 发明人 安德列亚斯·克莱因;埃克哈德·迪策尔;弗兰克·克吕格尔;米夏埃尔·舒曼
分类号 H05K1/18(2006.01)I;H05K3/40(2006.01)I;H01L33/60(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H05K1/18(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 张天舒;张杰
主权项 一种用于与至少一个电子部件(6、16)相接触的层合物(1、11)的制备方法,在所述层合物中绝缘层(4、14)布置在第一金属层(2、12)与第二金属层(3、13)之间;所述金属层(2、3、12、13)在至少一个接触区域中相互电接触;所述绝缘层(4、14)的所述接触区域中生成有一个或多个凹处,所述接触区域中的至少一个压花和/或至少一个鼓起至少在所述第一金属层(2、12)中生成,借此,位于所述至少一个压花和/或鼓起的区域中的所述两金属层(2、3、12、13)之间的距离减少,所述金属层(2、3、12、13)被层合到所述绝缘层(4、14)上;特征在于至少一个压花和/或至少一个鼓起的尺寸足够用于容纳至少一个电子部件(6、16),至少一个电子部件(6、16)被嵌入到至少一个压花和/或至少一个鼓起中,并且以导电方式连接于其中,使得所述电子部件(6、16)的周长被完全容纳在所述压花或所述鼓起中,而所述电子部件(6、16)的高度(H)至少部分地被容纳在所述压花或所述鼓起中。
地址 德国哈瑙市