一种半浮栅器件及其制造方法

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种半浮栅器件，包括至少一个半导体衬底、一个源区、一个漏区、一个浮栅、一个控制栅、一个垂直沟道区以及一个用于连接所述浮栅与所述漏区的栅控p-n结二极管。本发明所提出的半浮栅器件用浮栅存储信息，并通过所述栅控p-n结二极管对浮栅进行充电或放电，具有单元面积小、芯片密度高、对数据进行存储时操作电压低、数据保持能力强等优点。

主权项

一种半浮栅器件，其特征在于，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的垂直沟道区；所述垂直沟道区的底部与具有第二种掺杂类型的源区连接，所述垂直沟道区的顶部与具有第二种种掺杂类型的漏区连接；覆盖所述源区、漏区与垂直沟道区形成的第一层绝缘薄膜；在半导体衬底水平表面上且覆盖所述漏区的第一层绝缘薄膜中，形成的一个浮栅开口区域；覆盖所述第一层绝缘薄膜和浮栅开口区域,形成一个具有第一种掺杂类型的浮栅；该浮栅作为电荷存储节点，位于垂直沟道区和浮栅开口区之上，一方面通过所述浮栅开口区，在所述浮栅与漏区之间形成一个p‑n结二极管；另一方面因为覆盖在垂直沟道区的第一层绝缘薄膜上，可以通过电场调控来控制沟道区内电流的通与断； 覆盖所述源区、浮栅与p‑n结二极管形成的第二层绝缘薄膜；在所述第二层绝缘薄膜之上，且覆盖所述浮栅与栅控p‑n结二极管形成的控制栅。