用于FINFET器件的位错SMT

摘要

本发明公开了一种用于对FinFET执行应力记忆技术(SMT)的方法和具有包括多平面位错的记忆应变效果的FinFET。示例性实施例包括：接收FinFET前体，FinFET前体具有衬底、衬底上的鳍状件结构、鳍状件结构之间的隔离区、以及鳍状件结构的一部分之上的栅极堆叠件。栅极堆叠件使鳍状件结构的源极区与鳍状件结构的漏极区分离并且在两者之间创建栅极区。实施例还包括：在鳍状件结构、隔离区、以及栅极堆叠件中的每个的至少一部分之上形成应力记忆技术(SMT)保护层，通过注入能量掺杂物质，对FinFET前体执行退火工艺，并且去除SMT保护层，对FinFET前体执行预非晶化注入。本发明还提供了一种用于FINFET器件的位错SMT。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：接收FinFET前体，所述FinFET前体包括：衬底；鳍状件结构，形成在所述衬底上；隔离区，形成在所述衬底上并且隔离所述鳍状件结构；以及栅极堆叠件，形成在所述鳍状件结构的一部分之上，从而将所述鳍状件结构的源极区与所述鳍状件结构的漏极区相分离，并且在所述源极区和所述漏极区之间形成所述鳍状件结构的栅极区；在所述鳍状件结构、所述隔离区、和所述栅极堆叠件中的每个的至少一部分之上形成应力记忆技术(SMT)保护层；通过注入能量掺杂物质，对所述FinFET前体执行预非晶化注入；对所述FinFET前体执行退火工艺；以及去除所述SMT保护层。