一种中高压IGBT终端

摘要

本实用新型公开了一种中高压IGBT终端，属于大功率半导体器件技术领域。该终端包括主结、场限环、截止保护环、场板和沟槽；主结、场限环、截止保护环均在N-漂移区内，从主结向截止保护环的方向，依次有场限环和沟槽，在主结、场限环和/或截止保护环上有多个不连续的场板，沟槽截断沟槽所在处的IGBT终端的耗尽层。本实用新型结合了传统场限环终端和截断型终端的优点，一方面使耗尽层在远离主结方向延伸，提高了器件的耐压；另一方面使耗尽层向表面靠近，减小了耗尽层纵向的深度，这就为截断型终端提供了方便，它减小了刻蚀沟槽的深度，在工艺上大大降低了难度。

主权项

一种中高压IGBT终端，其特征在于，包括主结、场限环、截止保护环、场板和沟槽；其中，所述主结、所述场限环和所述截止保护环均在N‑漂移区内，从所述主结向所述截止保护环的方向，依次有所述场限环和所述沟槽，在所述主结、所述场限环和/或所述截止保护环上有多个不连续的所述场板，所述沟槽截断所述沟槽所在处的耗尽层，所述耗尽层在所述IGBT终端上。