半导体器件及其局部互连结构的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件局部互连结构的制造方法，通过在半导体衬底上栅极两侧的侧墙与外侧墙之间形成可去除的牺牲侧墙，去除牺牲侧墙后在栅极同一侧的侧墙和外侧墙之间即形成局部互连结构中源/漏区域的接触通孔。在源/漏通孔中填充导电材料形成插塞后，插塞的高度就能与栅极的高度相等。这样，局部互连结构中后续的第一层金属布线与下层的源/漏区域或栅极区域之间进行电学连接的接触通孔就可以等深，如此避免了在半导体器件不同区域的接触通孔的形成过程中发生接触通孔过刻蚀或刻蚀不足的现象，同时还能改善接触通孔的填充效果。相应地，本发明还提供一种具有根据上述制造方法形成的半导体器件局部互连结构的半导体器件。

主权项

一种半导体器件局部互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供具有栅极的半导体衬底，该栅极被顶盖及侧墙包封；在该侧墙外侧形成牺牲侧墙；在该牺牲侧墙外侧形成外侧墙；该牺牲侧墙的材料不同于侧墙和外侧墙；去除该牺牲侧墙，同侧的侧墙和外侧墙之间形成源/漏通孔，并在该源/漏通孔中形成牺牲源/漏；淀积层间介质，其与该牺牲源/漏的材料不同；进行平坦化处理，去除该牺牲源/漏；在该源/漏通孔底部形成源/漏接触；淀积导电材料，填充该源/漏通孔，形成插塞；进行平坦化处理，露出栅极和插塞。