MOM电容器及其制作方法

摘要

本发明实施例公开了一种MOM电容器及其制作方法，该电容器包括：本体层、位于所述本体层表面上的多层金属化层和多层介质层，每两层金属化层之间均具有一介质层，每一金属化层具有多个相互平行的导电电极线，且每两个导电电极线之间填充有隔离电介质；位于导电电极线下方的介质层表面内的导电通道，且在该MOM电容器的俯视图上，所述导电通道贯穿与其对应的导电电极线的两端。本发明通过增加同一介质层表面内相邻导电通道间的相对面积增大，增加了导电通道电容值，进而提高了MOM电容器的电容密度，较现有技术中的芯片，同样电容值的情况下，减小了芯片上MOM电容器的面积，进而减小了芯片的面积。

主权项

一种MOM电容器，其特征在于，包括：基底，所述基底包括本体层；位于所述本体层表面上的多层金属化层和多层介质层，每两层金属化层之间均具有一介质层，每一金属化层具有多个相互平行的导电电极线，且每两个导电电极线之间填充有隔离电介质，以将同一金属化层上相互平行的导电电极线进行电隔离，各金属化层上的导电电极线的分布区域和隔离电介质的分布区域均相同；位于所述导电电极线下方的介质层表面内的导电通道，以电连接被介质层间隔开的上下两层金属化层上的导电电极线，各层介质层表面内的导电通道的分布区域均相同；其中，在该MOM电容器的俯视图上，所述导电通道贯穿与其对应的导电电极线的两端。