| 发明名称 | 穿隧磁阻元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种无需MgO成膜工序的垂直磁化型磁性元件的制造方法。本发明的磁阻元件(1)的制造方法包括在基体(10)上层压第一层(30)，该第一层(30)由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成。接着，在第一层(30)上层压由Mg构成的第二层(40)。接着，对包括所述第一层(30)和所述第二层(40)的层压体实施氧化处理，使第二层(40)的Mg氧化为MgO。接着，对所述层压体实施加热处理，使第二层(40)结晶，并使第一层(30)垂直磁化。根据该制造方法，可在不产生由MgO成膜所引起的问题的情况下，制造出CoFeB-MgO系材料的垂直磁化型磁性元件。 | ||
| 申请公布号 | CN103250263A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201180058075.X | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 株式会社爱发科;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 山本弘辉;森田正;大野英男;池田正二 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人 | 徐川;张颖玲 |
| 主权项 | 一种磁阻元件的制造方法，包括：在基体上层压第一层，所述第一层由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成；在所述第一层上层压由Mg构成的第二层；对包括所述第一层和所述第二层的层压体实施氧化处理，使所述第二层的Mg氧化为MgO；以及对所述层压体实施加热处理，使所述第二层结晶，且使所述第一层垂直磁化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||