| 发明名称 | 薄膜晶体管、显示单元和电子设备 | ||
| 摘要 | 本公开提供薄膜晶体管、显示单元和电子设备。该薄膜晶体管包括：栅极电极；栅极绝缘膜，设置在该栅极电极上；氧化物半导体层，设置在该栅极绝缘膜上并且具有面对该栅极电极设置的沟道区域；沟道保护层，设置在该栅极绝缘膜和该氧化物半导体层上；以及源极电极和漏极电极，该源极电极和漏极电极的每一个通过在该沟道保护层中形成的连接孔连接到该氧化物半导体层，其中在该沟道区域的一部分中该氧化物半导体层具有狭窄区域，该狭窄区域的宽度窄于该连接孔的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN103247692A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201310030053.3 | 申请日期 | 2013.01.25 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 德永和彦;荒井俊明 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极电极；栅极绝缘膜，设置在该栅极电极上；氧化物半导体层，设置在该栅极绝缘膜上并且具有面对该栅极电极设置的沟道区域；沟道保护层，设置在该栅极绝缘膜和该氧化物半导体层上；以及源极电极和漏极电极，该源极电极和漏极电极的每一个通过在该沟道保护层中形成的连接孔连接到该氧化物半导体层，其中在该沟道区域的一部分中该氧化物半导体层具有狭窄区域，该狭窄区域的宽度窄于该连接孔的宽度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||