| 发明名称 | 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，以避免沟道区域的半导体层发生损伤。本实用新型中薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极，还包括：位于所述半导体层上方，覆盖所述源漏电极的沟道区域，由金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层。通过本实用新型，当空气中的水蒸气浸入时，该金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层会首先与水蒸气发生反应，从而能够防止沟道区域的金属氧化物半导体被损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN203134811U | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201320138307.9 | 申请日期 | 2013.03.25 |
| 申请人 | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 杜雷 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极，其特征在于，还包括：位于所述半导体层上方，覆盖所述源漏电极的沟道区域，由金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层。 | ||
| 地址 | 230011 安徽省合肥市铜陵北路2177号 | ||