| 发明名称 | 一种半导体结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种半导体结构，包括：衬底(100)，所述衬底（100）包括第一方向和第二方向；栅堆叠，位于所述衬底(100)之上，所述栅堆叠由第一绝缘层（110）和浮栅、第二绝缘层（170）和控制栅（180）从下往上依次堆叠而成；所述浮栅侧面在所述第一方向和第二方向上分别具有两个以上的凹陷；源/漏区(310)，在第二方向位于所述栅堆叠两侧的衬底(100)中。本实用新型可以降低相邻两列单元间的电容耦合，并且加强控制栅和浮栅之间的电容耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN203134795U | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201220557467.2 | 申请日期 | 2012.10.26 |
| 申请人 | 李迪 | 发明人 | 李迪 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括： 衬底(100)，所述衬底（100）包括第一方向和第二方向； 栅堆叠，位于所述衬底(100)之上，所述栅堆叠由第一绝缘层（110）和浮栅、第二绝缘层（170）和控制栅（180）从下往上依次堆叠而成； 所述浮栅侧面在所述第一方向和第二方向上分别具有两个以上的凹陷； 源/漏区(310)，在第二方向位于所述栅堆叠两侧的衬底(100)中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||